BSC010N04LS6ATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
920 руб.
от 2 шт. —
840 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 920 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 40V, 100A, 175DEG C, 150W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.00089ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vg
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 100 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 1@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 40 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 3000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Supplier Package | TDSON EP |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 67 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 67@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 4600@20V |
| Drain Source On State Resistance | 890мкОм |
| Power Dissipation | 150Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | OptiMOS 6 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.3В |
| Рассеиваемая Мощность | 150Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 890мкОм |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet BSC010N04LS6ATMA1
pdf, 1577 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
