BSC014N04LSTATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 40 В, 100 А, 0.0011 Ом, TDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
450 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
400 руб.
от 100 шт. —
308 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 2 700 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
The Infineon OptiMOS 5 power MOSFET in SuperSO8 package offers the latest technology together with temperature improvements in the package.
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0011Ом |
| Power Dissipation | 115Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | OptiMOS |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 115Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0011Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 33A(Ta), 100A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6020pF @ 20V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W(Ta), 115W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 50A, 10V |
| Series | OptiMOSв(ў |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 FL |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 205 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0014 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | TDSON |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.39 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
