BSC019N06NSATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 100 А, 0.0017 Ом, TDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
700 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
590 руб.
от 100 шт. —
453 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 800 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
BSC019N06NS, SP001407774
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0017Ом |
| Power Dissipation | 136Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | OptiMOS |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.8В |
| Рассеиваемая Мощность | 136Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0017Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 120 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Part # Aliases: | BSC019N06NS SP001407774 |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 77 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.95 mOhms |
| Rise Time: | 7 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 192 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TDSON-8 FL |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.39 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1319 КБ
Datasheet BSC019N06NSATMA1
pdf, 1600 КБ
Datasheet BSC019N06NSATMA1
pdf, 1263 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
