BSC027N04LSGATMA1
520 руб.
от 2 шт. —
420 руб.
от 5 шт. —
348 руб.
от 7 шт. —
328.86 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 520 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 40V, 100A, PG-TDSON-8, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:100A, Drain Source Voltage Vds:40V, On Resistance Rds(on):0.0023ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2V, Power , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Вес, г | 0.224 |
Техническая документация
Datasheet BSC027N04LSGATMA1
pdf, 376 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
