BSC072N08NS5ATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 74 А, 80 В, 0.0062 Ом, 10 В, 3 В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
490 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
450 руб.
от 100 шт. —
343 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 2 940 руб.
Описание
The Infineon design of MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 74 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0072 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.8V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Pin Count | 8 |
| Series | OptiMOSTM5 |
| Transistor Material | Silicon |
| Вес, г | 0.389 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1305 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
