BSC0993NDATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
620 руб.
от 2 шт. —
560 руб.
от 10 шт. —
494 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 620 руб.
Описание
Электроэлемент
17A 5mOhm@7A,10V 2V@250uA 2 N-Channel -55°C~+150°C@(Tj) TISON-8 MOSFETs
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 17 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 5@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 2 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2500 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Pin Count | 8 |
| Process Technology | OptiMOS |
| Supplier Package | TISON EP |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 13 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 6.7@4.5VI13@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 870@15V |
| Id - непрерывный ток утечки | 17 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Qg - заряд затвора | 18 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 3.8 ns |
| Время спада | 3 ns |
| Другие названия товара № | BSC0993ND SP001586390 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Dual |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 24 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 17 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.6 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | PG-TISON-8 |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.0042Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.0042Ом |
| Power Dissipation N Channel | 2.5Вт |
| Power Dissipation P Channel | 2.5Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | OptiMOS 5 Series |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 17А |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 17А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 17А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0042Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TISON |
Техническая документация
Datasheet BSC0993NDATMA1
pdf, 1029 КБ
Datasheet BSC0993NDATMA1
pdf, 1132 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
