BSM75GB120DN2HOSA1, Силовой IGBT модуль, полумостовой, 1200В, 105А

Фото 1/3 BSM75GB120DN2HOSA1, Силовой IGBT модуль, полумостовой, 1200В, 105А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
20 180 руб.
от 3 шт.19 720 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 20 180 руб.
Номенклатурный номер: 9000040740
Артикул: BSM75GB120DN2HOSA1

Описание

Биполярный транзистор IGBT, 625Вт

Технические параметры

Структура полумост
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 105
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 625
Рабочая температура (Tj), °C +150(max)
Корпус HALF-BRIDGE 1
Вес, г 250

Техническая документация

Datasheet BSM75GB120DN2
pdf, 306 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «IGBT модули»