BSM75GB120DN2HOSA1, Силовой IGBT модуль, полумостовой, 1200В, 105А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 180 руб.
от 3 шт. —
19 720 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 20 180 руб.
Описание
Биполярный транзистор IGBT, 625Вт
Технические параметры
Структура | полумост | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 105 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 625 | |
Рабочая температура (Tj), °C | +150(max) | |
Корпус | HALF-BRIDGE 1 | |
Вес, г | 250 |
Техническая документация
Datasheet BSM75GB120DN2
pdf, 306 КБ
Дополнительная информация
С этим товаром покупают