Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Rohm › BSS64AHZGT116

BSS64AHZGT116

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2618 шт., срок 7-9 недель

120 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 10 шт. — 84 руб.

от 100 шт. — 39 руб.

от 500 шт. — 30.55 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 240 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8007488207

Бренд: Rohm

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR FOR HIGH VOLT AMP

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	30
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	200 mA
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	120 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	80 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	140 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-23-3
Collector Emitter Voltage Max	100В
Continuous Collector Current	100мА
DC Current Gain hFE Min	30hFE
DC Усиление Тока hFE	30hFE
Power Dissipation	200мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft	140МГц