BSS83P

130 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.78 руб.
от 10 шт.61 руб.
от 100 шт.43.38 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 260 руб.
Номенклатурный номер: 8002012570

Описание

Электроэлемент
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0.33A I(D), 60V, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Maximum Continuous Drain Current 0.33 A
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage ?20 V
Mounting Surface Mount
Operating Temperature -55 to 150 ?C
Package 3SOT-23
Rad Hard No
RDS-on 2000@10V mOhm
Typical Fall Time 61 ns
Typical Rise Time 71 ns
Typical Turn-Off Delay Time 56 ns
Typical Turn-On Delay Time 23 ns
Вес, г 0.06

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов