BSS83P
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
78 руб.
от 10 шт. —
61 руб.
от 100 шт. —
43.38 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 260 руб.
Описание
Электроэлемент
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0.33A I(D), 60V, 1-ELEMENT, P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Maximum Continuous Drain Current | 0.33 A |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | ?20 V |
Mounting | Surface Mount |
Operating Temperature | -55 to 150 ?C |
Package | 3SOT-23 |
Rad Hard | No |
RDS-on | 2000@10V mOhm |
Typical Fall Time | 61 ns |
Typical Rise Time | 71 ns |
Typical Turn-Off Delay Time | 56 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 23 ns |
Вес, г | 0.06 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов