BUK9K17-60EX, Двойной МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 60 В, 26 А, 26 А, 0.0124 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1500 шт., срок 8-10 недель
360 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
320 руб.
от 100 шт. —
240 руб.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 2 880 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы
Automotive MOSFETsNexperia Automotive MOSFETs comprise a range of AEC-Q101-qualified devices that meet the stringent standards set by the automotive industry. These Nexperia automotive devices are designed for an operating environment far more hostile than power MOSFETs used in home and portable applications and are suitable for thermally demanding environments due to a +175°C rating.
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance N Channel | 0.0124Ом |
Drain Source On State Resistance P Channel | 0.0124Ом |
Power Dissipation N Channel | 53Вт |
Power Dissipation P Channel | 53Вт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 60В |
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 26А |
Непрерывный Ток Стока, N Канал | 26А |
Непрерывный Ток Стока, P Канал | 26А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В |
Рассеиваемая Мощность | 53Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0124Ом |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | LFPAK56D |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Brand: | Nexperia |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Dual |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |
Fall Time: | 19.2 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 26 A |
Manufacturer: | Nexperia |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 2 Channel |
Package / Case: | LFPAK-56D-8 |
Part # Aliases: | 934067953115 |
Pd - Power Dissipation: | 53 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 16.5 nC |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 12.4 mOhms |
Rise Time: | 20 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 2 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 23 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 10.7 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.