BUK9K17-60EX, Двойной МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 60 В, 26 А, 26 А, 0.0124 Ом

Фото 1/2 BUK9K17-60EX, Двойной МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 60 В, 26 А, 26 А, 0.0124 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1500 шт., срок 8-10 недель
360 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт.320 руб.
от 100 шт.240 руб.
Добавить в корзину 8 шт. на сумму 2 880 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8003668148
Артикул: BUK9K17-60EX
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы
Automotive MOSFETs

Nexperia Automotive MOSFETs comprise a range of AEC-Q101-qualified devices that meet the stringent standards set by the automotive industry. These Nexperia automotive devices are designed for an operating environment far more hostile than power MOSFETs used in home and portable applications and are suitable for thermally demanding environments due to a +175°C rating.

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance N Channel 0.0124Ом
Drain Source On State Resistance P Channel 0.0124Ом
Power Dissipation N Channel 53Вт
Power Dissipation P Channel 53Вт
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 60В
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал 60В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал 60В
Непрерывный Ток Стока 26А
Непрерывный Ток Стока, N Канал 26А
Непрерывный Ток Стока, P Канал 26А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 1.7В
Рассеиваемая Мощность 53Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0124Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора LFPAK56D
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Brand: Nexperia
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Dual
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1500
Fall Time: 19.2 ns
Id - Continuous Drain Current: 26 A
Manufacturer: Nexperia
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 2 Channel
Package / Case: LFPAK-56D-8
Part # Aliases: 934067953115
Pd - Power Dissipation: 53 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 16.5 nC
Qualification: AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance: 12.4 mOhms
Rise Time: 20 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 23 ns
Typical Turn-On Delay Time: 10.7 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -10 V, +10 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.4 V
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet
pdf, 742 КБ
Datasheet
pdf, 743 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.