C3M0016120K, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 115 А, 1.2 кВ, 0.016 Ом, TO-247

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

677 шт., срок 8-10 недель

18 670 руб.

от 5 шт. — 17 000 руб.

от 10 шт. — 16 420 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 18 670 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8001834402

Артикул: C3M0016120K

Бренд: WOLFSPEED

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)

Industry-leading 16mΩ RDS(on) 1200V VBR (minimum) across entire operating temperature range [-40˚C – 175˚C]

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.016Ом
Power Dissipation	556Вт
Количество Выводов	4вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора	Single
Линейка Продукции	C3M
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Напряжение Измерения Rds(on)	15В
Напряжение Истока-стока Vds	1.2кВ
Непрерывный Ток Стока	115А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.5В
Рассеиваемая Мощность	556Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.016Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Channel Mode	Enhancement
Maximum Continuous Drain Current	115 A
Maximum Drain Source Resistance	16 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	1200 V
Maximum Gate Source Voltage	-8 V, 19 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3.6V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	556 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1.8V
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247-4
Pin Count	4
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	SiC
Typical Gate Charge @ Vgs	211 nC @ 4/15V
Width	5.21mm
Вес, г	8.673

pdf, 1055 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем