C3M0065090D, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 36 А, 900 В, 0.065 Ом, TO-247

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

942 шт., срок 8-10 недель

4 260 руб.

от 5 шт. — 3 910 руб.

от 10 шт. — 3 620 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 260 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8184270549

Артикул: C3M0065090D

Бренд: WOLFSPEED

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)

Описание Транзистор МОП n-канальный, полевой, 900В, 36А, 125Вт, TO263-8 Характеристики

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.065Ом
Power Dissipation	125Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора	Single
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Напряжение Измерения Rds(on)	15В
Напряжение Истока-стока Vds	900В
Непрерывный Ток Стока	36А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.1В
Рассеиваемая Мощность	125Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.065Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Channel Mode	Enhancement
Forward Diode Voltage	4.8V
Maximum Continuous Drain Current	36 A
Maximum Drain Source Resistance	78 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	900 V
Maximum Gate Source Voltage	-8 V, +18 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.1V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	125 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1.8V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	SiC
Typical Gate Charge @ Vgs	30.4 nC @ 15 V
Width	21.1mm
Вес, г	8.233