Мой регион: Россия

C3M0065090D

Ном. номер: 8184270549
PartNumber: C3M0065090D
Производитель: WOLFSPEED
Фото 1/2 C3M0065090D
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 C3M0065090D
1 110 руб.
284 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 5 шт. — 1 030 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
690 руб. По запросу 1 шт. 6 шт.
от 10 шт. — 657 руб.
483 руб. 3-4 недели, 50 шт. 1 шт. 14 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
36 A
Тип корпуса
TO-247
Максимальное рассеяние мощности
125 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
21.1мм
Прямая активная межэлектродная проводимость
13.6S
Высота
5.21мм
Размеры
16.13 x 21.1 x 5.21мм
Материал транзистора
SiC
Количество элементов на ИС
1
Длина
16.13мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
21 ns
Производитель
Wolfspeed
Типичное время задержки выключения
28 ns
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Максимальное сопротивление сток-исток
78 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
900 V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
30,4 нКл при 15 В
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
660 пФ при 600 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 V, +18 V
Прямое напряжение диода
4.8V

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.