C3M0120090D, Транзистор полевой MOSFET N-канальный SiC 900В 23А автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 шт. со склада г.Москва, срок 12 дней
1 400 руб.
от 3 шт. —
1 310 руб.
от 5 шт. —
1 250 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 400 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Транзисторы на основе карбида кремния (SIC)
Транзистор полевой MOSFET N-канальный SiC 900В 23А автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-247
Технические параметры
| Корпус | TO-247 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Forward Diode Voltage | 4.8V | |
| Maximum Continuous Drain Current | 23 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 155 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 900 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +18 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 97 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.8V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | TO-247 | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | SiC | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 17.3 nC @ 15 V | |
| Width | 21.1mm | |
| Brand: | MACOM | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 | |
| Fall Time: | 8 ns | |
| Id - Continuous Drain Current: | 23 A | |
| Manufacturer: | MACOM | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | Through Hole | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package/Case: | TO-247-3 | |
| Packaging: | Tube | |
| Pd - Power Dissipation: | 97 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Product: | Power MOSFETs | |
| Qg - Gate Charge: | 17.3 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 120 mOhms | |
| REACH - SVHC: | Details | |
| Rise Time: | 10 ns | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | SiC | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Type: | Silicon Carbide MOSFET | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 27 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 900 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +19 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V | |
| Вес, г | 8.234 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet C3M0120090D
pdf, 943 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
