CI30N120SM, Транзистор N-MOSFET SiC 1200В 31А 200Вт [TO-247]

CI30N120SM, Транзистор N-MOSFET SiC 1200В 31А 200Вт [TO-247]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
148 шт. со склада г.Москва
1 020 руб.
от 5 шт.913 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 020 руб.
Номенклатурный номер: 9001265901
Артикул: CI30N120SM

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 1200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 31
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 80 Ом/20A, 20В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 200
Крутизна характеристики, S 7
Корпус TO-247-3
Пороговое напряжение на затворе 4
Вес, г 7.5

Техническая документация

CI30N120SM
pdf, 616 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.