CI30N120SM, Транзистор N-MOSFET SiC 1200В 31А 200Вт [TO-247]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
148 шт. со склада г.Москва
1 020 руб.
от 5 шт. —
913 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 020 руб.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 31 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 80 Ом/20A, 20В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 | |
Крутизна характеристики, S | 7 | |
Корпус | TO-247-3 | |
Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
CI30N120SM
pdf, 616 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.