CSD87312Q3E
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
530 руб.
от 2 шт. —
430 руб.
от 5 шт. —
356 руб.
от 10 шт. —
328.86 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 530 руб.
Описание
Электроэлемент
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, dual common source SON 3 mm x 3 mm, 38 mOhm
Технические параметры
Brand | Texas Instruments |
Configuration | Dual Common Source |
Factory Pack Quantity | 2500 |
Fall Time | 2.8 ns |
Forward Transconductance - Min | 39 S |
Height | 1 mm |
Id - Continuous Drain Current | 27 A |
Length | 3.3 mm |
Manufacturer | Texas Instruments |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 2 Channel |
Package / Case | VSON-8 |
Packaging | Cut Tape |
Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 6.3 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 38 mOhms |
Rise Time | 16 ns |
RoHS | Details |
Series | CSD87312Q3E |
Technology | Si |
Tradename | NexFET |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 2 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 17 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 7.8 ns |
Unit Weight | 0.001101 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
Width | 3.3 mm |
Id - непрерывный ток утечки | 27 A |
Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
Qg - заряд затвора | 6.3 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 33 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 16 ns |
Время спада | 2.9 ns |
Высота | 1 mm |
Длина | 3.3 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 2 Channel |
Коммерческое обозначение | NexFET |
Конфигурация | Dual |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 39 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | CSD87312Q3E |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 2 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 17 ns |
Типичное время задержки при включении | 7.8 ns |
Торговая марка | Texas Instruments |
Упаковка / блок | VSON-8 |
Ширина | 3.3 mm |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
csd87312q3e
pdf, 815 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов