DF11MR12W1M1PB11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 50 А, 1.2 кВ, 0.0225 Ом, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
33 880 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 33 880 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)
Технические параметры
| Channel Type | Dual N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0225Ом |
| Конфигурация МОП-транзистора | Half Bridge |
| Линейка Продукции | EasyPACK CoolSiC |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 50А |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0225Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Вес, г | 22.68 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 512 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
