DF23MR12W1M1B11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 25 А, 1.2 кВ, 0.045 Ом, Module

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

21 120 руб.

от 5 шт. — 19 300 руб.

от 10 шт. — 18 520 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 21 120 руб.

Номенклатурный номер: 8001557708

Артикул: DF23MR12W1M1B11BPSA1

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.045Ом
Конфигурация МОП-транзистора	Half Bridge
Линейка Продукции	EasyPACK CoolSiC
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Напряжение Измерения Rds(on)	15В
Напряжение Истока-стока Vds	1.2кВ
Непрерывный Ток Стока	25А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4.5В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.045Ом
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Вес, г	240

pdf, 583 КБ

Мы рекомендуем