DMG2302U-7, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 80В, 3,4А, 800мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 200 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой DMG2302U-7 от производителя DIODES INCORPORATED – это высококачественный компонент в корпусе SOT23 для SMD монтажа. Способный выдержать ток стока до 3,4 А и напряжение сток-исток 80 В, данный N-MOSFET транзистор обеспечивает надёжную работу в широком диапазоне применений. Его тепловая мощность составляет 0,8 Вт, а сопротивление в открытом состоянии – всего 0,12 Ом, что гарантирует эффективную производительность. Использование DMG2302U7 в вашей электронной схеме обеспечит высокую эффективность и долговечность устройства. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 3.4 |
| Напряжение сток-исток, В | 80 |
| Мощность, Вт | 0.8 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.12 |
| Корпус | SOT23 |
Технические параметры
| Base Product Number | DMG2302 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 594.3pF @ 10V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 50ВµA |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 4.2A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 800mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 90mО© @ 3.6A,4.5V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1V @ 50uA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.2 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 120 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 800 mW |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.4mm |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet DMG2302U-7
pdf, 266 КБ
Datasheet DMG2302U-7
pdf, 488 КБ
Datasheet DMG2302U-7
pdf, 420 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
