DMHC3025LSD-13, SOIC-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
от 10 шт. —
88 руб.
от 30 шт. —
74 руб.
от 100 шт. —
59.55 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 150 руб.
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.5 A, 7.8 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ, 80 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.5 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 4 |
| Package Type | SOIC |
| Pin Count | 8 |
| Transistor Configuration | Full Bridge |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 11.4 nC @ 10 V, 11.7 nC @ 10 V |
| Width | 3.95mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Quad |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 8.7 ns, 13.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A, 4.2 A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 4 Channel |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 11.7 nC, 11.4 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 25 mOhms, 50 mOhms |
| Rise Time: | 15 ns, 4.9 ns |
| Series: | DMHC3025 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Transistor Type: | 2 N-Channel, 2 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17.5 ns, 28.2 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11.2 ns, 7.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
