DMN65D8L-7, МОП-транзистор, N Канал, 310 мА, 60 В, 2 Ом, 10 В, 2 В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 руб.
Описание
Power MOSFETs
Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.
Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.
Технические параметры
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1 - Безлимитный |
| Стиль Корпуса Транзистора | sot-23 |
| Рассеиваемая Мощность | 370мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 310мА |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 2Ом |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Вес, г | 5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
