DTA114YE3HZGTL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2880 шт., срок 7-9 недель
18 руб.
Кратность заказа 240 шт.
от 720 шт. —
13 руб.
от 1200 шт. —
11 руб.
от 2160 шт. —
10.04 руб.
Добавить в корзину 240 шт.
на сумму 4 320 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
The ROHM PNP leak absorption digital transistor is automotive digital transistor. Built-in bias resistors, R1 = 10kΩ, R2 = 47kΩundefined
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max PNP | 50В |
Continuous Collector Current | 100мА |
DC Current Gain hFE Min | 68hFE |
Power Dissipation | 150мВт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Линейка Продукции | PW Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | Single PNP |
Резистор База-эмиттер R2 | 47кОм |
Резистор На входе Базы R1 | 10кОм |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-416 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Maximum Collector Emitter Voltage | -50 V |
Maximum DC Collector Current | 100 mA |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | EMT3 |
Pin Count | 3 |
Transistor Type | PNP |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1391 КБ
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары