FCD9N60NTM, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 9 А, 0.33 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
690 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
650 руб.
от 100 шт. —
503 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 760 руб.
Описание
MOSFET,N CH,600V,9A,DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.33ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:83.3W; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Технические параметры
| Base Part Number | FCD9N60 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 9A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.8nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 100V |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 92.6W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 385mOhm @ 4.5A, 10V |
| Series | SupreMOSв(ў |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 0.907 |
Техническая документация
Документация
pdf, 1243 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
