Мой регион: Россия

FCPF22N60NT, Транзистор, N-канал 600В 22А [TO-220F]

Ном. номер: 9000119307
Артикул: FCPF22N60NT
Производитель: ON Semiconductor
FCPF22N60NT, Транзистор, N-канал 600В 22А [TO-220F]
180 руб.
260 шт. со склада г.Москва
от 10 шт. — 165 руб.
от 100 шт. — 164 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 180 руб.
В кредит от 0 руб./мес

SupreMOS – это семейство 600В MOSFET транзисторов, выполненных по технологии super-junction. Эти транзисторы с сопротивлением открытого канала 165 мОм FCP22N60N, FCPF22N60NT и FCA22N60N и 199 мОм FCP16N60N, FCPF16N60NT и FCA16N60N имеют лучшие в своем классе характеристики по быстродействию (di/dt и dv/dt) и позволяют повысить плотность мощности и КПД источников питания и, при этом, за счет большого напряжения пробоя и отличных характеристик встроенного диода, обеспечивают высокий уровень надежности.

Первые представители семейства – FCP16N60N и FCP22N60N, доступны в корпусах TO220, TO220F и TO3PN. У FCP16N60N параметр RDS(ON) равен 199 мОм, а у FCP22N60N – 165 мОм. MOSFET-транзисторы характеризуются отличной скоростью нарастания напряжения dv/dt как самого транзистора, так и встроенного диода. Кроме того, они обладают хорошими значениями лавинной энергии.

Отличительные особенности:
• Низкое сопротивление в открытом состоянии RDS(ON) = 20 мОм на см2
• dv/dt диода: 20 В/нс (при 200 А/мкс)
• dv/dt транзистора: 100 В/нс
• Лавинная энергия: 355 мДж у 199-мОм приборов; 672 мДж у 165-мОм приборов.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2…4
Вес, г
2

Техническая документация

FCP22N60N_FCPF22N60NT
pdf, 757 КБ

Видео

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.