FDC3512, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 80 В, 3 А, 0.056 Ом, SuperSOT, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
250 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
163 руб.
Добавить в корзину 15 шт.
на сумму 3 750 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
The FDC3512 is a N-channel MOSFET produced using PowerTrench® process. It is designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS (ON) and fast switching speed.
• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability
• Fast switching speed
• 13nC typical low gate charge
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.056Ом |
| Power Dissipation | 1.6Вт |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Непрерывный Ток Стока | 3А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.4В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.6Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.056Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SuperSOT |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 141 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.6 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 6 |
| Series | PowerTrench |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Width | 1.7mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 3 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 14 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 3 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SSOT-6 |
| Part # Aliases: | FDC3512_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Qg - Gate Charge: | 18 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 77 mOhms |
| Rise Time: | 3 ns |
| Series: | FDC3512 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PowerTrench |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 24 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 12.13 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
