Мой регион: Россия

FDC3601N, Двойной МОП-транзистор, 2 N Канала, 1 А, 100 В, 500 мОм, 10 В, 2.6 В [SuperSOT-6]

Ном. номер: 9000397192
Артикул: FDC3601N
Производитель: Fairchild Semiconductor
FDC3601N, Двойной МОП-транзистор, 2 N Канала, 1 А, 100 В, 500 мОм, 10 В, 2.6 В [SuperSOT-6]
51 руб.
20630 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 39 руб.
от 100 шт. — 23 руб.
Кратность заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 102 руб.

The FDC3601N is a 100V Dual N-channel PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild's the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench® MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating - MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.

• Low gate charge
• High performance trench technology for extremely low RDS (on)

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус

Дополнительная информация

Datasheet FDC3601N

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.