FDC655BN, Транзистор, PowerTrench, Logic Level, N-канал, 30В, 3.6А [SSOT-6]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100 руб.
от 25 шт. —
89 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 100 руб.
Описание
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.3 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.025 Ом/6.3А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.6 | |
Корпус | SuperSOT-6/SOT-23-6 | |
Вес, г | 0.08 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 210 КБ
Документация
pdf, 366 КБ
Datasheet FDC655BN
pdf, 279 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов