FDC655BN, Транзистор, PowerTrench, Logic Level, N-канал, 30В, 3.6А [SSOT-6]

Фото 2/5 FDC655BN, Транзистор, PowerTrench, Logic Level, N-канал, 30В, 3.6А [SSOT-6]Фото 3/5 FDC655BN, Транзистор, PowerTrench, Logic Level, N-канал, 30В, 3.6А [SSOT-6]Фото 4/5 FDC655BN, Транзистор, PowerTrench, Logic Level, N-канал, 30В, 3.6А [SSOT-6]Фото 5/5 FDC655BN, Транзистор, PowerTrench, Logic Level, N-канал, 30В, 3.6А [SSOT-6]
Фото 1/5 FDC655BN, Транзистор, PowerTrench, Logic Level, N-канал, 30В, 3.6А [SSOT-6]
131 шт. со склада г.Москва
40 руб.
от 25 шт.35 руб.
от 250 шт.по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 40 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000344995
Артикул: FDC655BN
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Полевой МОП-транзистор PowerTrench® с N-каналом, до 9,9 А, Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Continuous Drain Current 6.3 A
Package Type SOT-23
Maximum Power Dissipation 1.6 W
Mounting Type Surface Mount
Width 1.7mm
Height 1mm
Dimensions 3 x 1.7 x 1mm
Transistor Material Si
Number of Elements per Chip 1
Length 3mm
Transistor Configuration Single
Typical Turn-On Delay Time 6 ns
Brand ON Semiconductor
Typical Turn-Off Delay Time 15 ns
Series PowerTrench
Minimum Operating Temperature -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 1V
Maximum Drain Source Resistance 36 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 30 V
Pin Count 6
Category Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs 5 nC @ 5 V, 9 nC @ 10 V
Channel Mode Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds 470 pF @ 15 V
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Вес, г 0.08

Техническая документация

FDC655BN
pdf, 279 КБ
Datasheet FDC655BN
pdf, 365 КБ
Datasheet
pdf, 349 КБ
Datasheet FDC655BN
pdf, 374 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах