FDD3682, МОП-транзистор, N Канал, 32 А, 100 В, 0.032 Ом, 10 В, 4 В

Фото 1/2 FDD3682, МОП-транзистор, N Канал, 32 А, 100 В, 0.032 Ом, 10 В, 4 В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
240 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
от 100 шт.180 руб.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 2 400 руб.
Номенклатурный номер: 8047519102
Артикул: FDD3682

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 32А, 95Вт, TO252AA Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Brand: onsemi/Fairchild
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Fall Time: 26 ns
Id - Continuous Drain Current: 32 A
Manufacturer: onsemi
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: DPAK-3
Part # Aliases: FDD3682_NL
Pd - Power Dissipation: 95 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 18.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 32 mOhms
Rise Time: 46 ns
Series: FDD3682
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Type: MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time: 24 ns
Typical Turn-On Delay Time: 9 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V
Вес, г 0.565

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов