FDD3682, МОП-транзистор, N Канал, 32 А, 100 В, 0.032 Ом, 10 В, 4 В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
240 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
от 100 шт. —
180 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 2 400 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 32А, 95Вт, TO252AA Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | onsemi/Fairchild |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 26 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 32 A |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | DPAK-3 |
Part # Aliases: | FDD3682_NL |
Pd - Power Dissipation: | 95 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 18.5 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 32 mOhms |
Rise Time: | 46 ns |
Series: | FDD3682 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 24 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
Вес, г | 0.565 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов