FDD6637-VB, Транзистор P-MOSFET 30В 80A [DPAK / TO-252]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1656 шт. со склада г.Москва
54 руб.
от 100 шт. —
49 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 54 руб.
Посмотреть аналоги2
Описание
30V 80A 9m-@10V,80A P Channel TO-252-2 MOSFETs
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.011 Ом/30А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 187 | |
Крутизна характеристики, S | 20 | |
Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet FDD6637
pdf, 764 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.