FDD8424H-VB, Транзистор N/P-MOSFET 40В 50А [TO-252-4L]

FDD8424H-VB, Транзистор N/P-MOSFET 40В 50А [TO-252-4L]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
125 шт. со склада г.Москва
200 шт. ожидается на склад г.Москва после 6 июня 2024 г.
70 руб.
от 100 шт.63 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 70 руб.
Номенклатурный номер: 9001265897
Артикул: FDD8424H-VB
PartNumber: FDD8424H

Технические параметры

Структура N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.014 Ом/38А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 108
Крутизна характеристики, S 40/18
Корпус DPAK(4 Leads+Tab)
Пороговое напряжение на затворе 1…3
Вес, г 0.5

Техническая документация

Datasheet FDD8424H
pdf, 698 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.