FDD8424H-VB, Транзистор N/P-MOSFET 40В 50А [TO-252-4L]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
125 шт. со склада г.Москва
200 шт. ожидается на склад г.Москва после 6 июня 2024 г.
70 руб.
от 100 шт. —
63 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 70 руб.
Номенклатурный номер: 9001265897
Артикул: FDD8424H-VB
PartNumber: FDD8424H
Бренд: Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Технические параметры
Структура | N/P-каналы | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.014 Ом/38А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 108 | |
Крутизна характеристики, S | 40/18 | |
Корпус | DPAK(4 Leads+Tab) | |
Пороговое напряжение на затворе | 1…3 | |
Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet FDD8424H
pdf, 698 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.