FDMC86259P, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 150 В, 13 А, 0.087 Ом, Power 33, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
750 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
670 руб.
от 100 шт. —
528 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 3 000 руб.
Описание
Решения для управления питанием в облаке
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 9.6 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 12 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 13 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | Power-33-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 62 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 99 mOhms |
| Rise Time: | 3.3 ns |
| Series: | FDMC86259P |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PowerTrench Power Clip |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.8 V |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 291 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
