FDME1024NZT, MOSFET, NN CH, 20V, 3.8A, MFET1.6X1.6

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

220 руб.

Мин. кол-во для заказа 15 шт.

Кратность заказа 5 шт.

от 100 шт. — 151 руб.

Добавить в корзину 15 шт. на сумму 3 300 руб.

Номенклатурный номер: 8208840274

Артикул: FDME1024NZT

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы

• Low profile
• Halogen-free
• ±8V Gate to source voltage
• 3.8A Continuous drain current
• 6A Pulsed drain current

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance N Channel	0.055Ом
Drain Source On State Resistance P Channel	0.055Ом
Power Dissipation N Channel	1.4Вт
Power Dissipation P Channel	1.4Вт
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал	20В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал	20В
Непрерывный Ток Стока, N Канал	3.8А
Непрерывный Ток Стока, P Канал	3.8А
Стиль Корпуса Транзистора	µFET
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Continuous Drain Current (Id)	3.8A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	66mΩ@4.5V, 3.4A
Drain Source Voltage (Vdss)	20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	1V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds)	300pF@10V
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)	600mW
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	4.2nC@4.5V
Type	2 N-Channel
Вес, г	0.054