FDMS3660S, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 60 А, 30 В, 0.0013 Ом, 10 В, 1.5 В

PartNumber: FDMS3660S
Ном. номер: 8033248992
Производитель: ON Semiconductor
FDMS3660S, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 60 А, 30 В, 0.0013 Ом, 10 В, 1.5 В
Доступно на заказ 485 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
260 руб. × = 260 руб.
от 25 шт. — 223 руб.
от 100 шт. — 183 руб.

Описание

The FDMS3660S is a dual N-channel Asymmetric MOSFET suitable for use with computing, general purpose point of load and notebook VCORE applications. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous SyncFET™ (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.

• Low inductance packaging shortens rise/fall times, resulting in lower switching losses
• MOSFET integration enables optimum layout (lower circuit inductance & reduced switch node ringing)

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150°C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
Power 56
Рассеиваемая Мощность
2.5Вт
Полярность Транзистора
Двойной N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Непрерывный Ток Стока
60А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0013Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
1.5В

Дополнительная информация

Datasheet FDMS3660S