FDMS86202, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 120 В, 64 А, 0.006 Ом, PQFN, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 030 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
880 руб.
от 100 шт. —
695 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 3 090 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
MOSFET, N-CH, 120V, 64A, PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:64A; Drain Source Voltage Vds:120V; On Resistance Rds(on):0.006ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.1V; Power Dissipation Pd:156W; Transistor Case Style:PQFN; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:PowerTrench Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.006Ом |
| Power Dissipation | 156Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PowerTrench |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 120В |
| Непрерывный Ток Стока | 64А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.1В |
| Рассеиваемая Мощность | 156Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.006Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | PQFN |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Configuration | Single Quad Drain |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 5 ns |
| Forward Transconductance - Min | 44 S |
| Height | 0.8 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 40 A |
| Length | 3.3 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | Power-56-8 |
| Packaging | Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation | 156 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 45 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 10.9 mOhms |
| Rise Time | 6 ns |
| RoHS | Details |
| Series | FDMS86202 |
| Technology | Si |
| Tradename | PowerTrench Power Clip |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 27 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 21 ns |
| Unit Weight | 0.001993 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 120 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.1 V |
| Width | 3.3 mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 5 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 44 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | Power-56-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 156 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 45 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10.9 mOhms |
| REACH - SVHC: | Details |
| Rise Time: | 6 ns |
| Series: | FDMS86202 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PowerTrench Power Clip |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 27 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 21 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 120 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.1 V |
| Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 387 КБ
Datasheet FDMS86202
pdf, 389 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
