FDN308P, Транзистор P-MOSFET 20В 1.5А 0.5Вт [SOT-23-3]

FDN308P, Транзистор P-MOSFET 20В 1.5А 0.5Вт [SOT-23-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2984 шт. со склада г.Москва
9 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 9 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 9001231136
Артикул: FDN308P
PartNumber: UMW FDN308P

Технические параметры

Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 86 мОм/1.5А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.5
Крутизна характеристики, S 12
Корпус SOT-23-3
Пороговое напряжение на затворе 0.6…1.5
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet UMW FDN308P
pdf, 441 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.