FDN327N, Транзистор N-MOSFET 20В 2А 0.5Вт [SOT-23-3]

FDN327N, Транзистор N-MOSFET 20В 2А 0.5Вт [SOT-23-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2593 шт. со склада г.Москва
8 руб.
от 100 шт.7 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 8 руб.
Номенклатурный номер: 9001231109
Артикул: FDN327N
PartNumber: UMW FDN327N

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 40 мОм/2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.5
Крутизна характеристики, S 11
Корпус SOT-23-3
Пороговое напряжение на затворе 0.4…1.5
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet UMW FDN327N
pdf, 397 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.