FDN337N, Транзистор, N-канал, 30В, 2.2А, 0.054 Ом [SOT23-3]

Артикул: FDN337N
Ном. номер: 9000009786
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/4 FDN337N, Транзистор, N-канал, 30В, 2.2А, 0.054 Ом [SOT23-3]
Фото 2/4 FDN337N, Транзистор, N-канал, 30В, 2.2А, 0.054 Ом [SOT23-3]Фото 3/4 FDN337N, Транзистор, N-канал, 30В, 2.2А, 0.054 Ом [SOT23-3]Фото 4/4 FDN337N, Транзистор, N-канал, 30В, 2.2А, 0.054 Ом [SOT23-3]
Есть в наличии более 300 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
14 руб. × = 14 руб.
от 50 шт. — 11 руб.
от 500 шт. — 8.06 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The FDN337N from Fairchild is N channel logic level enhancement mode power field effect transistor in superSOT-3 package. This transistor is produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology, very high density process is especially tailored to minimize on state resistance, thus suite for low voltage applications in notebook computers, portable phones, PCMCIA cards and other battery powered circuits where fast switching and low inline power loss are needed in a very small outline surface mount package.

• High density cell design for extremely low Rds(on)
• Exceptional on resistance and maximum DC current capability
• Drain to source voltage (Vds) of 30V
• Gate to source voltage of ±8V
• Low on state resistance of 65mohm at Vgs 4.5V
• Continuous drain current of 2.2A
• Maximum power dissipation of 500mW
• Operating junction temperature range from -55°C to 150°C

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
65
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус

Техническая документация

FDN337N_Datasheet
pdf, 276 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FDN337N
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3- SuperSOT FDN337N
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов