FDN337N, Транзистор, N-канал, 30В, 2.2А, 0.054 Ом [SOT-23-3]

Артикул: FDN337N
Ном. номер: 9000009786
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/4 FDN337N, Транзистор, N-канал, 30В, 2.2А, 0.054 Ом [SOT-23-3]
Фото 2/4 FDN337N, Транзистор, N-канал, 30В, 2.2А, 0.054 Ом [SOT-23-3]Фото 3/4 FDN337N, Транзистор, N-канал, 30В, 2.2А, 0.054 Ом [SOT-23-3]Фото 4/4 FDN337N, Транзистор, N-канал, 30В, 2.2А, 0.054 Ом [SOT-23-3]
Есть в наличии более 250 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка сегодня
14 руб. × = 14 руб.
от 25 шт. — 11 руб.
от 250 шт. — 10.70 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The FDN337N is a SuperSOT™-3 N-channel logic level enhancement-mode Power FET produced using Fairchild's proprietary high cell density DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. It is particularly suited for low voltage applications in PCMCIA cards and other battery powered circuits where fast switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface-mount package. The SuperSOT™-3 design for superior thermal and electrical capabilities.

• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• Exceptional ON-resistance and maximum DC current capability

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус

Техническая документация

FDN337N_Datasheet
pdf, 276 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FDN337N
Trans MOSFET N-CH 30V 2.2A 3- SuperSOT