FDN352AP, Транзистор P-MOSFET 30В 1.3А 0.5Вт [SOT-23-3]

FDN352AP, Транзистор P-MOSFET 30В 1.3А 0.5Вт [SOT-23-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1889 шт. со склада г.Москва
9 руб.
от 100 шт.8 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 9 руб.
Номенклатурный номер: 9001169202
Артикул: FDN352AP
PartNumber: UMW FDN352AP

Технические параметры

Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 15 мОм/1.3A, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.5
Крутизна характеристики, S 2
Корпус SOT-23-3
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet FDN352AP
pdf, 443 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.