FDN352AP, Транзистор P-MOSFET 30В 1.3А 0.5Вт [SOT-23-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1889 шт. со склада г.Москва
9 руб.
от 100 шт. —
8 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 9 руб.
Номенклатурный номер: 9001169202
Артикул: FDN352AP
PartNumber: UMW FDN352AP
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.3 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 15 мОм/1.3A, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 | |
Крутизна характеристики, S | 2 | |
Корпус | SOT-23-3 | |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet FDN352AP
pdf, 443 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.