FDP085N10A-F102, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 100 В, 96 А, 0.00735 Ом, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
640 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
580 руб.
от 100 шт. —
448 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 3 200 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор 100V N-CHANNEL POWERTRENCH МОП-транзистор
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.00735Ом |
Power Dissipation | 188Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | PowerTrench |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 96А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 188Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.00735Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Id - непрерывный ток утечки | 96 A |
Pd - рассеивание мощности | 188 W |
Qg - заряд затвора | 31 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.35 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 22 ns |
Время спада | 8 ns |
Высота | 16.3 mm |
Длина | 10.67 mm |
Другие названия товара № | FDP085N10A_F102 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 72 S |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Размер фабричной упаковки | 800 |
Серия | FDP085N10A |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.7 mm |
Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet FDP085N10A-F102
pdf, 4054 КБ
Datasheet FDP085N10A-F102
pdf, 4025 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов