FDPF5N50NZ, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 500 В, 4.5 А, 1.38 Ом, TO-220F, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
430 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
400 руб.
от 100 шт. —
338 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 3 010 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength.
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 1.38Ом |
Power Dissipation | 30Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | UniFET II |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
Непрерывный Ток Стока | 4.5А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
Рассеиваемая Мощность | 30Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.38Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220F |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Continuous Drain Current | 4.5 A |
Maximum Drain Source Resistance | 1.5 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 30 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220F |
Pin Count | 3 |
Series | UniFET |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
Width | 4.7mm |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов