FDS9926A-VB, Транзистор 2N-MOSFET 20В 7.1А 2Вт [SOIC-8]

FDS9926A-VB, Транзистор 2N-MOSFET 20В 7.1А 2Вт [SOIC-8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
871 шт. со склада г.Москва
50 руб.
от 15 шт.45 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 50 руб.
Посмотреть аналоги1
Номенклатурный номер: 9001185611
Артикул: FDS9926A-VB

Технические параметры

Структура 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 7.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.019 Ом/7.1А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 27
Корпус SOIC-8
Пороговое напряжение на затворе 0.6…1.5
Вес, г 0.15

Техническая документация

Datasheet FDS9926A
pdf, 810 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.