FDS9926A-VB, Транзистор 2N-MOSFET 20В 7.1А 2Вт [SOIC-8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
871 шт. со склада г.Москва
50 руб.
от 15 шт. —
45 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 50 руб.
Посмотреть аналоги1
Технические параметры
Структура | 2N-канала | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7.1 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.019 Ом/7.1А, 4.5В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 | |
Крутизна характеристики, S | 27 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Пороговое напряжение на затворе | 0.6…1.5 | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet FDS9926A
pdf, 810 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.