FDS9933A, Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 3.8 А, 2 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
62 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 16 шт. —
56 руб.
от 31 шт. —
51 руб.
от 61 шт. —
48 руб.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 496 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 3.8 А, 2 Вт
Технические параметры
| Корпус | so-8 | |
| Channel Type | P Channel | |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.075Ом | |
| Power Dissipation P Channel | 2Вт | |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) | |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C | |
| Монтаж транзистора | Surface Mount | |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В | |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В | |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 20В | |
| Непрерывный Ток Стока | 3.8А | |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 3.8А | |
| Полярность Транзистора | P Канал | |
| Пороговое Напряжение Vgs | 800мВ | |
| Рассеиваемая Мощность | 2Вт | |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.075Ом | |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC | |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Lead Finish | Matte Tin | |
| Max Processing Temp | 260 | |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.8 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | ±8 V | |
| Mounting | Surface Mount | |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C | |
| RDS-on | 75@4.5V mOhm | |
| Typical Fall Time | 28 ns | |
| Typical Rise Time | 9 ns | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 31 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 6 ns | |
| Brand: | onsemi/Fairchild | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Dual | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 | |
| Fall Time: | 28 ns | |
| Forward Transconductance - Min: | 8 S | |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.8 A | |
| Manufacturer: | onsemi | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 2 Channel | |
| Package / Case: | SOIC-8 | |
| Part # Aliases: | FDS9933A_NL | |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 10 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 75 mOhms | |
| Rise Time: | 9 ns | |
| Series: | FDS9933A | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Tradename: | PowerTrench | |
| Transistor Polarity: | P-Channel | |
| Transistor Type: | 2 P-Channel | |
| Type: | MOSFET | |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V | |
| Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
