FDS9945, Транзистор 2N-MOSFET 60В 6А 2Вт [SOIC-8]

FDS9945, Транзистор 2N-MOSFET 60В 6А 2Вт [SOIC-8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2414 шт. со склада г.Москва
60 руб.
от 15 шт.54 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 60 руб.
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги1
Номенклатурный номер: 9001185612
Артикул: FDS9945
Бренд: TECH PUBLIC

Технические параметры

Структура 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.026 Ом/5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 11
Корпус SOIC-8
Пороговое напряжение на затворе 1.2…2.5
Вес, г 0.15

Техническая документация

Datasheet FDS9945
pdf, 3442 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.