FDV303N, МОП-транзистор, N Канал, 680 мА, 25 В, 0.33 Ом, 4.5 В, 800 мВ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
18 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 9000 шт. —
15 руб.
от 24000 шт. —
13 руб.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 54 000 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор полевой FDV303N от производителя ONSEMI – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа на поверхность (SMD). Он обладает током стока до 0,68 А и напряжением сток-исток 25 В, что позволяет использовать его в различных электронных схемах. Мощность транзистора составляет 0,35 Вт. Компактный корпус SOT23 гарантирует легкую интеграцию в печатные платы. Транзистор FDV303N идеален для поверхностного монтажа в мобильных устройствах, усилителях и других электронных проектах, где требуется надежное управление током при низком напряжении. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 0.68 |
| Напряжение сток-исток, В | 25 |
| Мощность, Вт | 0.35 |
| Корпус | SOT23 |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 2A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 80mО© @ 2A,4.5V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.3V @ 250uA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 680mA(Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 350mW(Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 680 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 450 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Maximum Gate Source Voltage | +8 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 350 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.65V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.64 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.3mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 197 КБ
Datasheet FDV303N
pdf, 546 КБ
Документация
pdf, 263 КБ
Datasheet FDV303N
pdf, 65 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
