FDV303N, Транзистор N-MOSFET 20В 0.68А 0.35Вт [SOT-23-3]

FDV303N, Транзистор N-MOSFET 20В 0.68А 0.35Вт [SOT-23-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
9678 шт. со склада г.Москва
6 руб.
от 100 шт.5 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 6 руб.
Номенклатурный номер: 9001231089
Артикул: FDV303N
PartNumber: UMW FDV303N

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.68
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 28 мОм/0.5А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.35
Крутизна характеристики, S 1.45
Корпус SOT-23-3
Пороговое напряжение на затворе 0.65…1
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet UMW FDV303
pdf, 381 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.