FF200R06KE3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 260 А, 1.45 В, 680 Вт, 150 °C, Module
![Фото 1/2 FF200R06KE3HOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 260 А, 1.45 В, 680 Вт, 150 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/812/DOC004812601.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
29 190 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 29 190 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
FF200R06KE3, SP000085283
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.45В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Continuous Collector Current | 260А |
| DC Ток Коллектора | 260А |
| Power Dissipation | 680Вт |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Dual(Half Bridge) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150 C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 600В |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.45В |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Рассеиваемая Мощность | 680Вт |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 3(Trench/Field Stop) |
| Base Product Number | FF200R06 -> |
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 260A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | Module |
| Power - Max | 680W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | C -> |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 463 КБ
