FF300R12KE4, IGBT Modules N-CH 1.2KV 460A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
37 070 руб.
от 10 шт. —
31 560 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 37 070 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.75 V |
Configuration: | Dual |
Continuous Collector Current at 25 C: | 460 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Chassis Mount |
Package / Case: | 62 mm |
Packaging: | Tray |
Part # Aliases: | SP000370620 FF300R12KE4HOSA1 |
Pd - Power Dissipation: | 1600 W |
Product Category: | IGBT Modules |
Product Type: | IGBT Modules |
Product: | IGBT Silicon Modules |
Series: | Trench/Fieldstop IGBT4-E4 |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 359 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 641 КБ
Infineon-FF300R12KE4-DS-v02_01-en_de
pdf, 452 КБ