FF6MR12KM1BOSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 250 А, 1.2 кВ, 0.00581 Ом, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
127 500 руб.
от 5 шт. —
118 500 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 127 500 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)
The Infineon 62 mm 1200 V, 6 mΩ half bridge module with Cool Sic™ MOSFET. High current density Low switching losses
Технические параметры
| Channel Type | Dual N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.00581Ом |
| Конфигурация МОП-транзистора | Half Bridge |
| Линейка Продукции | CoolSiC C |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 250А |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.00581Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 250 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 5.81 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.45V |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | AG-62MM |
| Series | FF6MR |
| Вес, г | 348.9 |
Техническая документация
Datasheet FF6MR12KM1BOSA1
pdf, 539 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
