FF900R12IE4BOSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual, 900 А, 1.75 В, 5.1 кВт, 150 °C, Module

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

75 370 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 75 370 руб.

Номенклатурный номер: 8539643634

Артикул: FF900R12IE4BOSA1

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

FF900R12IE4, SP000614712

Collector Emitter Saturation Voltage	1.75В
Collector Emitter Voltage Max	1.2кВ
Continuous Collector Current	900А
DC Ток Коллектора	900А
Power Dissipation	5.1кВт
Выводы БТИЗ	Stud
Конфигурация БТИЗ	Dual
Линейка Продукции	PrimePACK 2
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Максимальная Температура Перехода Tj	150 C
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.75В
Полярность Транзистора	N Канал
Рассеиваемая Мощность	5.1кВт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 4(Trench/Field Stop)
Вес, г	898