FGA15N120ANTDTU-F109, Транзистор, IGBT, NPT Trench, 1200В, 15А [TO-3PN]

Фото 2/4 FGA15N120ANTDTU-F109, Транзистор, IGBT, NPT Trench, 1200В, 15А [TO-3PN]Фото 3/4 FGA15N120ANTDTU-F109, Транзистор, IGBT, NPT Trench, 1200В, 15А [TO-3PN]Фото 4/4 FGA15N120ANTDTU-F109, Транзистор, IGBT, NPT Trench, 1200В, 15А [TO-3PN]
Фото 1/4 FGA15N120ANTDTU-F109, Транзистор, IGBT, NPT Trench, 1200В, 15А [TO-3PN]
382 шт. со склада г.Москва
300 руб.
от 15 шт.286 руб.
от 150 шт.284 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 300 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000272983
Артикул: FGA15N120ANTDTU-F109
Производитель: ON Semiconductor

Описание

Дискретные IGBT, 1000 В и более, Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Технология/семейство npt trench
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А 45
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 186
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 15
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 160
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-3p
Вес, г 6.5

Техническая документация

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах