FGAF20N60SMD, IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-3PF
480 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 480 руб.
Технические параметры
| Технология/семейство | Field Stop/Gen 2 | |
| Наличие встроенного диода | Да | |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 | |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 40 | |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 60 | |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.7 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 75 | |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 12 | |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 91 | |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 | |
| Корпус | to-3pf | |
| Вес, г | 7 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
